2英寸独立包装的氮化镓基片
| 项目 | GaN-FS-N | GaN-FS-SI |
| 尺寸 | Φ50mm±1mm | |
| 孔洞密度 | A Level | ≤2cm-2 |
| B Level | >2 cm-2 | |
| 厚度 | 350±25um | |
| 晶向 | C-axis(0001)±0.5° | |
| 基准边 | (1-100)±0.5°,16.0±1.0mm | |
| 第二个基准边 | (11-20)±3°,8.0±1.0mm | |
| TTV(总厚度变化) | ≤15um | |
| BOW | ≤20um | |
| 导电型号 | N-Type | 半绝缘性 |
| 电阻率(300K) | <0.5Ω.cm | >106 Ω.cm |
| 错位密度 | 小于 5 x 106 cm-2 | |
| 可利用面积 | >90% | |
| 抛光 | 正面: Ra<0.2nm. Epi-ready 抛光 反面:标准 | |
| 包装 | 包装在100级洁净室环境中，在单个晶圆容器中，氮气原子球下。 | |
